A+ A A-

   Секция 3. Нанотехнология и биотехнология

15 апреля, 10.15

 1.       Л.И. Кравец, *В.М. Елинсон, **Р.Г. Ибрагимов. ОИЯИ ЛЯР им. Г.Н. Флерова, Дубна. * «МАТИ» - РГТУ им. К.Э. Циолковского. **ФГБОУ ВПО «Казанский национальный исследовательский технологический университет»,  Казань. Воздействие высокочастотного плазменного разряда на структуру и свойства трековых мембран.

2.       Л.И. Кравец, *А.Б. Гильман, *М.Ю. Яблоков, **V. Satulu, **B. Mitu, **G. Dinescu. ОИЯИ ЛЯР им. Г.Н. Флерова,  Дубна. *Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН, Москва.**National Institute for Laser, Plasma and Radiation Physics, Bucharest, Romania. Получение «умных» мембран методом полимеризации в плазме.

3.       Н.А. Кульчицкий, А.А. Мельников, *А.В. Войцеховский, *С.Н. Несмелов, *А.П. Коханенко, *К.А. Лозовой. Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва. *Томский государственный университет, Томск. Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si.

4.      Н.А. Кульчицкий, А.А.Мельников, *А.В Наумов. Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики, Москва. *ООО «КВАР», Москва. Анализ рынка прозрачных  проводящих тонкопленочных покрытий на основе оксидов индия и олова.

5.       Н.А. Кульчицкий, А.А.Мельников, *А.В. Наумов. Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики,  Москва. *ООО «КВАР», Москва. Прозрачные  проводящие  покрытия в электронике.

6.       Н.А.Кульчицкий, А.А.Мельников, *А.В.Войцеховский, *С.Н.Несмелов *А.П. Коханенко, *К.А. Лозовой. Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики,  Москва. *Томский государственный университет, Томск. Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова.

7.       И.А. Воронов, *Е.А. Митрофанов, *А.Л. Калинин, *С.Б. Симакин. МГМСУ им. А.И. Евдокимова. *ОАО «НИИВТ им. С.А. Векшинского», Москва. Исследование свойств ионно-плазменныхпокрытий карбида кремния на пластмассовых зубных протезах.

8.       В.М. Елинсон, *Л.В. Диденко, *Н.В.Шевлягина, **Г.А Автандилов, А.Н. Лямин, ***Л.И. Кравец, **** Г. Динеску, *****М.Ю. Яблоков. ФГБОУ ВПО «МАТИ»- РГТУ им. К.Э. Циолковского», Москва. *ФГБУ НИЦЭМ им. Н.Ф. Гамалеи МЗ РФ, Москва. **ГБО ВПО МГМСУ им. А.И.Евдокимова МЗ РФ, Москва. ***ОИЯИ ЛЯР им. Г.Н. Флерова, Дубна.  ****Национальный институт лазеров, плазмы и радиационной физики, Магурель, Бухарест, Румыния. *****Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН, Москва, РФ. Оценка возможности колонизации микроорганизмами различных фторсодержащих поверхностей на основе данных сканирующей электронной микроскопии.

 9.      С.Б. Нестеров, А.И. Холопкин. ОАО «НИИВТ им. С.А. Векшинского», Москва. Расчет характеристик вакуумных туннельных диодов для генераторов электрического тока.

10.   А.Н. Лямин, В.М. Елинсон. ФГБОУ ВПО  «МАТИ» – РГТУ им. К.Э. Циолковского, Москва. ВЧ-плазма атмосферного и пониженного давления для инактивации патогенов на поверхности полимеров и полимерных изделий.

11.   Ю.В. Панфилов, М.В. Булыгина. МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва. Установка для измерения геометрических и физико-технических характеристик поверхности на микро- и наноуровнях.

12.  Н.А. Смоланов, Н.А. Панькин. Мордовский государственный университет имени Н.П.Огарева, Саранск. Анализ распределения толщины осажденного материала в дуговом разряде вблизи катода.

13.  В.В. Слепцов,  С.Н. Куликов,  Д.Ю. Кукушкин, Ву Дык Хан. ФБГОУ ВПО «МАТИ» -РГТУ имени К.Э. Циолковского, Москва. Вакуумная технология формирования тонкопленочных покрытий на поверхности высокопористых материалов конденсаторных структур.

 

Soyzmaw 1